突破 DC-DC 效率天花板：耕源 CY43070 獨家 Bypass 直通技術解析

前言
在 USB PD 高瓦數快充的設計中，「效率」與「熱處理」始終是工程師面臨的最大挑戰。當輸入電壓 (VIN) 與輸出電壓 (VOUT) 接近時，傳統的同步降壓 (Buck) 架構仍需進行高頻開關切換，這不可避免地會產生開關損耗 (Switching Loss) 與電感磁損，限制了整機效率的提升。

耕源科技 (Canyon Semiconductor) 推出的 CY43070/CY43071 控制晶片，透過獨家的 Bypass 直通技術 完美解決了這個痛點。

技術核心：Q1 MOSFET 的智慧應用
如下圖電路圖所示，CY43070/CY43071 在輸入端配置了一顆關鍵的 Q1 MOSFET。當偵測到系統需求為輸入電壓等於輸出電壓（例如 VIN=20V, VOUT=20V）的場景時，CY43070/CY43071 會智慧地進入 Bypass 模式：

停止高頻切換：Q2 與 Q3 停止動作，徹底消除同步整流的開關損耗。

建立直通傳輸通道：Q1 MOSFET 進入全導通狀態，將 VIN 電源直接「Bypass」至 VOUT。

繞過儲能元件：電流不再需要經過電感 L1 的儲能與釋能過程，大幅降低了電感直流阻抗 (DCR) 帶來的壓降與發熱。

實測效益：最高1% 的關鍵差距
透過這項獨家架構，CY43070/CY43071 在高壓輸出時，能比傳統方案 提升最多約 0.5~1% 的轉換效率。在 100W 或 140W 的高功率應用中，這 1% 的效率提升意味著減少了 1W~1.4W 的廢熱產生，這對於縮小充電器體積、降低外殼溫度具有決定性的優勢。

CY43070/CY43071 以創新的架構設計，協助客戶在極致輕薄的機構中，依然展現卓越的低溫高效性能。

FAE Charles